产品介绍:
北京波威官方提供的OPTIPHASE光纤干涉仪用于精密测试和测量仪器以及光纤传感系统。产品由OPTIPHASE研发的PZ1低剖面光纤拉伸器驱动,通过一个前面板BNC连接器进行增强调制。迈克尔逊干涉仪和马赫-曾德尔干涉仪的波长从1064纳米到1550纳米不等。每个干涉仪都有一个“零米”路径不匹配,这为改变延迟长度以适应不同的测试应用提供了灵活性。标准长度是50米。如有其它需求,可以根据用户需要定制干涉仪。
产品特点:
l 高速
l 低成本
l 小体积
典型应用:
l 相干合成
l 大范围傅里叶扫描
l 激光相位锁定
l 微分干涉
l 太赫兹研究专用
参数指标
此款压电型相位调制器通过压电陶瓷对光纤的拉伸,使得经过光纤的光产生既定相位延迟,并因为压电陶瓷周期的特性,可以引入所需频率扫描相位延迟
比较与一般的相位调制器而言,这种调制器具有极大的相位延迟量范围,可用于产生需求的大延迟
针对以上特性,该款产品(压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器)大量用于相干合成,大范围傅里叶扫描,激光相位锁定,微分干涉,太赫兹研究等应用领域
此外,该款产品也应用于诸如光学干涉测量,光学传感系统,开环解调,传感器仿真,可变光延迟,通用光纤干涉测量法和干涉相位的大角度调制等应用
应用案例:
(一)
压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器在温度、应力、水声及电磁场检测等领域的应用。
传感解调技术是光纤传 感中的关键技术之一。
而光纤干涉仪构成的传感器中,对相位的测量至关重要。目前常用的检测技术中,大多能用到基于PZT的光相位调制器,它既可以用于光纤干涉仪中,对外部环境扰动进行补偿以提高稳定性,也可以用于PGC解调技术,光路中相位制器的相位调制系数才能准确解调外界干扰信号,进而准确判别外界信息。相位生成载波技术在光纤相位传感解调技术中有泛的应用,具有灵敏度高、动态范围大等优点。而基于PZT的光相位调制器在PGC解调技术中可以用作干涉型传感系统外调制器件,在PGC解调技术中有广泛的应用
(二)
压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器在周界预警、光纤水听器和分布式光纤传感等方面的应用
干涉型光纤传感器通过检测光纤中光波相位的变化来测量外界的物理量,相比其他类型的光纤传感器具有频带宽,灵敏度高,动态范围大和易于长距离传输等优点,因此干涉型光纤传感器在周界预警、光纤水听器和分布式光纤传感等方面得到了广泛的研究与应用
压电换能器PZT( Piezoelectric Transducer) 的外调制相位生成载波PGC( Phase-Generated Carrier) 法可进行深入的理论分析和实验研究。
PZT 光纤相位调制器利用电致伸缩效应来改变缠绕在其上面的光纤的长度,进而实现对光纤中光相位的周期性调制。在马赫曾德尔光纤干涉仪MZI( Mach-Zehnder Interferometer) 的参考臂中加入该光纤相位调制器便可以将载波信号调制到光纤干涉仪的输出信号当中。并可实验验证了这种调制解调方案的可行性。结合美国国家仪器公司的数据采集系统及Labview 编写的解调算法,在臂长为200 m 的MZI 中可实现相位解调,恢复出MZI 传感臂中的原始相位信息,解调信号与原始信号的相关系数在0.99 以上。
(三)
压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器在 通过相干合束提高光纤激光源的输出功率的应用。
通过相干合束提高光纤激光源的输出功率是目前研究的一个热门领域, 其中多束激光的相位控制是提高合束效率的关键技术之一. 下述文章基于主动相位锁定技术对传统外差探测法进行了改进, 基于压电陶瓷及光纤电光相位调制器双通道伺服反馈, 实现了对同一激光源输出的两路相位独立变化的1531 nm 激光长时间的相位锁定. 通过选择合适的PID 控制参数, 将反馈带宽拓展到了220 kHz (受限于PID 控制器自身带宽).
最终的相位锁定控制在0.88◦ 以内, 即相位控制精度为/400, 经过160 s 平均后可得到相位锁定的最佳值为0.006◦, 整体实验装置结构简单、运行稳定.
(四)
压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器在太赫兹研究的应用。
在基于光混合的连续波太赫兹光谱仪中,通过实现两个压电光纤相位调制器/基于PZT相位调制器在可以实现相位的快速调制。光程长度的最大变化为14毫米。主要优点是提高了测量速度。在大约3 Hz的净数据采集速率下,仅10分钟即可测量到高达1.8 THz的全频谱,频率步长为Δν1 GHz。
这对于许多应用是必不可少的,例如,依赖于温度或磁场的测量。此外,较短的测量时间可减少设置的热漂移影响。即使每个光纤拉伸器的总光纤长度为60 m,由于使用了ΔLm 1 m的对称设置以及较短的测量时间,光程差也稳定在10μm左右。加上我们光谱仪的约10 MHz的高频稳定性,这可以精确确定太赫兹相位。反过来,这可以对样品的复杂折射率和厚度进行高精度测量,如此处针对低掺杂Si所示。